中微半導體發(fā)布科創(chuàng)板IPO申請對第二輪審核問詢函的回復，進一步補充了備品備件的收入構成、ICP與CCP刻蝕設備的對比及發(fā)展趨勢。我們繼續(xù)強烈推薦半導體設備板塊，重點推薦北方華創(chuàng)、精測電子、晶盛機電，推薦關注盛美半導體、長川科技。

在手訂單：2018年刻蝕設備訂單爆發(fā)。公司首次披露備品備件的收入構成，2018年刻蝕設備用備品備件銷售收入1.71億元，占到備品備件總收入的3/4，MOCVD設備用備品備件銷售收入僅為0.55億元，占到備品備件總收入的3/4。按集成電路/LED分類（不包括設備維護收入），2018年中微在集成電路領域的業(yè)務收入合計7.37億元（刻蝕設備5.66億元+刻蝕設備用備品備件1.71億元），集成電路業(yè)務收入占比45%，在LED領域的業(yè)務收入8.88億元，LED設備業(yè)務收入占比55%.。

CCP與ICP刻蝕設備的對比：目前銷售收入仍以CCP刻蝕設備為主。電容性等離子體刻蝕設備主要以等離子體在較硬的介質(zhì)材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量離子反應刻蝕的介質(zhì)材料；有機掩模材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結構；電感性等離子體刻蝕設備主要以等離子體在較軟和較薄的材料（單晶硅、多晶硅等材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結構。2016-2018年，公司累計銷售刻蝕設備13.25億元，其中CCP設備銷售額11.71億元，占比88.4%，ICP設備銷售額1.54億元，占比11.6%

ICP刻蝕設備市場正在超過CCP刻蝕設備市場。由于邏輯器件和存儲器件的結構變化，介質(zhì)刻蝕要刻蝕高精度薄膜，需要用較低能量的等離子體，并在低壓下實現(xiàn)刻蝕均勻。采用電感性等離體刻蝕設備能實現(xiàn)更好的效果，所以電感性等離體刻蝕設備越來越廣泛地應用于介質(zhì)刻蝕應用中。因此，隨著技術的演變，業(yè)內(nèi)主要采用將刻蝕設備分為CCP刻蝕設備和ICP刻蝕設備的分類方法。目前無法獲取二者保有量占比情況的公開客觀數(shù)據(jù)，但目前的總體趨勢是ICP刻蝕設備市場正在超過CCP刻蝕設備市場。

中微刻蝕設備未來主要研發(fā)方向：

CCP等離子體刻蝕設備的研發(fā)方向：用于3DNAND和DRAM存儲器刻蝕的CCP刻蝕設備，特別是用于極高深寬比的應用；用于5-3納米及更先進邏輯電路刻蝕的CCP刻蝕設備。

ICP等離子體刻蝕設備的研發(fā)方向：用于3DNAND和DRAM存儲器刻蝕的ICP刻蝕設備；用于5-3納米及更先進邏輯電路刻蝕的ICP刻蝕設備；用于先進封裝和高端MEMS生產(chǎn)的TSV刻蝕設備。

投資建議：中微以及安集微電子、上海微電子等擬登陸科創(chuàng)板，增強國產(chǎn)集成電路工藝設備與材料的資本實力，繼續(xù)看好半導體設備板塊，強烈推薦北方華創(chuàng)、精測電子、晶盛機電，推薦關注盛美半導體、長川科技。

風險因素：中國大陸存儲廠商投產(chǎn)延緩全球存儲芯片周期復蘇。